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光谷世界級(jí)產(chǎn)業(yè)規(guī)劃發(fā)布,武漢存儲(chǔ)工廠加速擴(kuò)產(chǎn)
光谷世界級(jí)產(chǎn)業(yè)規(guī)劃發(fā)布,武漢存儲(chǔ)工廠加速擴(kuò)產(chǎn)
來源:中國(guó)高新院 achie.org 日期:2020-08-03 點(diǎn)擊:次
近日,武漢東湖高新區(qū)正式發(fā)布《光谷科技創(chuàng)新大走廊核心承載區(qū)總體發(fā)展規(guī)劃》并啟動(dòng)建設(shè),據(jù)規(guī)劃,光谷核心承載區(qū)將打造一條創(chuàng)新主軸、一個(gè)核心創(chuàng)新源、三大創(chuàng)新節(jié)點(diǎn)和三條千億產(chǎn)業(yè)大道。其中創(chuàng)新主軸為高新大道,核心創(chuàng)新源在光谷科學(xué)島,三大創(chuàng)新節(jié)點(diǎn)位于光谷生物城、光谷中心城和武漢未來科技城,三條千億產(chǎn)業(yè)大道分別是關(guān)山大道、光谷五路和左嶺大道。
光谷作為世界級(jí)的光電技術(shù)中心,本次的光谷的科創(chuàng)大走廊核心承載區(qū)總規(guī)劃面積16.8平方公里的光谷科學(xué)島,位于豹澥街道南部梁子湖湖畔,被視為整條大走廊的皇冠之珠。該島主要布局各類重大科技基礎(chǔ)設(shè)施,引進(jìn)各類國(guó)際化高端科研平臺(tái)和研究型大學(xué),同時(shí)加大新型基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè),以及新經(jīng)濟(jì)應(yīng)用場(chǎng)景的構(gòu)建。
據(jù)相關(guān)人員介紹,光谷核心承載區(qū)將按三步走來建設(shè),終極目標(biāo)是到2049年,光谷科技創(chuàng)新大走廊核心承載區(qū)成為具有全球影響力的科技創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)中心,全面建成“世界光谷”。光谷本次的重點(diǎn)布局在集成電路、存儲(chǔ)芯片、消費(fèi)電子和智能終端等新興產(chǎn)業(yè)。
作為世界級(jí)的存儲(chǔ)中心城市,武漢存儲(chǔ)的實(shí)力逐漸加強(qiáng),未來承擔(dān)著中國(guó)存儲(chǔ)崛起的重任,長(zhǎng)江存儲(chǔ)和武漢新芯工廠的建成就是武漢實(shí)力的見證。
存儲(chǔ)器行業(yè)具有周期波動(dòng)特性,從歷史表現(xiàn)上看,存儲(chǔ)器行業(yè)總是處于交替出現(xiàn)的漲跌循環(huán)之中,其產(chǎn)業(yè)周期強(qiáng)于電子元器件市場(chǎng)整體的周期性,暴漲暴跌的情況也是常見。由于行業(yè)壟斷,國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的薄弱,國(guó)家發(fā)展存儲(chǔ)決心從未改變。2016年,武漢長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫、福建晉華等新廠的落成,加上紫光和兆易等傳統(tǒng)存儲(chǔ)顆粒原廠的發(fā)力,中國(guó)存儲(chǔ)格局逐漸顯現(xiàn)。
目前中國(guó)存儲(chǔ)的研發(fā)節(jié)奏正在逐步推進(jìn),中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)加速前進(jìn),武漢存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)隱現(xiàn)國(guó)家隊(duì)效應(yīng),是中國(guó)未來存儲(chǔ)發(fā)展的新希望。武漢東湖高新區(qū)未來三路與高新大道交匯處,被稱為黃金大道,這里的芯屏產(chǎn)業(yè)聚集,長(zhǎng)江存儲(chǔ)就在這里誕生。據(jù)了解,長(zhǎng)江存儲(chǔ)國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目由紫光集團(tuán)、國(guó)家集成電路基金、湖北省科投集團(tuán)和湖北省集成電路基金共同投資建設(shè),計(jì)劃分兩期建設(shè)3D NAND閃存芯片工廠,規(guī)劃總產(chǎn)能30萬片/月,總占地面積1968畝。
2016年年底,長(zhǎng)江存儲(chǔ)一期工程開工,2019年9月,長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布64層3D NAND閃存,目前產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn),并陸續(xù)推向市場(chǎng)。2020年4月,長(zhǎng)江存儲(chǔ)再次發(fā)布128層3D NAND閃存,預(yù)計(jì)將于2020年年底至2021年年初實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
作為存儲(chǔ)器領(lǐng)域國(guó)家隊(duì)代表的長(zhǎng)江存儲(chǔ),正在按照自己的研發(fā)節(jié)奏推進(jìn),在武漢光谷,長(zhǎng)江存儲(chǔ)正打造屬于自己的存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈。
2006年成立的武漢新芯半導(dǎo)體是一家領(lǐng)先的半導(dǎo)體研發(fā)和制造企業(yè),與長(zhǎng)江存儲(chǔ)是鄰居,致力于NOR Flash和晶圓級(jí)Xtacking TM技術(shù)的研發(fā)。在NOR Flash行業(yè)中,XMC積累了十多年的制造經(jīng)驗(yàn),是中國(guó)乃至全球領(lǐng)先的NOR Flash晶圓制造商之一。目前,Xtacking TM技術(shù)平臺(tái)已引入TSV,混合鍵合和多晶片堆疊技術(shù),為客戶提供高度靈活和創(chuàng)新的晶片級(jí)3D IC技術(shù)解決方案。
在打造存儲(chǔ)工廠的過程中,武漢的存儲(chǔ)人都是摸著石頭過河。武漢新芯表示,“自己做存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè),我們沒有團(tuán)隊(duì)。”武漢新芯在2006年正式開工建設(shè),經(jīng)過了廠房建設(shè)、進(jìn)設(shè)備、爬產(chǎn)能周期后,2008年產(chǎn)品才正式上市。
中國(guó)的企業(yè)在存儲(chǔ)領(lǐng)域既沒有技術(shù)優(yōu)勢(shì),也沒有生產(chǎn)規(guī)模,每年進(jìn)口的芯片金額高達(dá)2500億美元,在主流與DRAM和NAND Flash芯片的制造上基本是零。
《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》的公布給了行業(yè)機(jī)會(huì),中國(guó)計(jì)劃徹底改善在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的被動(dòng)局面,也取得了很多可喜的成績(jī),如今,光谷科技創(chuàng)新大走廊核心承載區(qū)總體發(fā)展規(guī)劃的發(fā)布,再次給產(chǎn)業(yè)增強(qiáng)了信心。
目前,長(zhǎng)江存儲(chǔ)、武漢新芯、小米總部、華為海思武漢光芯片工廠等眾多世界級(jí)的企業(yè)入駐,光谷迎來了巨大的機(jī)遇,產(chǎn)業(yè)集群正在形成。
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