徐州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)多晶硅產(chǎn)業(yè)鏈攀高拉長取得新成果，有協(xié)鑫集團(tuán)投資的半導(dǎo)體級多晶硅和CVD法碳化硅沉積項目正在中能硅業(yè)有序?qū)嵤?，前者將一舉突破中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在原料端的短板，后者將填補(bǔ)國內(nèi)在石墨碳化涂層領(lǐng)域的空白，都將全面打破國外企業(yè)的壟斷格局，進(jìn)一步鞏固中能硅業(yè)作為全球最大多晶硅研發(fā)制造商的領(lǐng)先領(lǐng)跑地位。
　　
　　據(jù)了解，協(xié)鑫集團(tuán)聯(lián)手國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金會，共同進(jìn)軍半導(dǎo)體多晶硅產(chǎn)業(yè)。目前，首期年產(chǎn)5000噸半導(dǎo)體用電子級多晶硅項目的基礎(chǔ)設(shè)施已全部完工，關(guān)鍵設(shè)備也已定制完成，預(yù)計今年年底可進(jìn)行調(diào)試，預(yù)計2017年可給國內(nèi)晶圓批量供貨，2018年可覆蓋國內(nèi)所有半導(dǎo)體生產(chǎn)廠家。其中，首期年產(chǎn)5000噸半導(dǎo)體用電子級多晶硅中，安排生產(chǎn)國外對我國實施技術(shù)封鎖的區(qū)熔級多晶硅1000噸。區(qū)熔級多晶硅主要應(yīng)用在特高壓、高鐵變頻、充電樁等高端電器上面，價格高出直拉電子級多晶硅3倍左右。該項目建成后，將突破中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在原料端的短板，成為繼美國Hemlock、德國Wacker之后世界第三的半導(dǎo)體級多晶硅新材料基地。
　　
　　另據(jù)了解，CVD法碳化硅沉積項目是硅基材料的一個延伸，其產(chǎn)品碳化硅涂層具有熔點高、硬度大、強(qiáng)度高、耐腐蝕、抗氧化等特點，可廣泛應(yīng)用于化工、電子、航天、光伏、半導(dǎo)體等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，建成后年產(chǎn)碳化硅涂層165爐。CVD法碳化硅沉積項目的建成投產(chǎn)，將打破國外企業(yè)對這一行業(yè)的壟斷局面，填補(bǔ)國內(nèi)在石墨碳化涂層材料的空白，進(jìn)一步解決國內(nèi)企業(yè)不斷增長的實際需求，推動第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)加快發(fā)展。