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33萬片！第三代半導(dǎo)體項目在青島高新區(qū)啟動！

來源：高新院 achie.org 日期：2022-03-01 點擊：次

　　2月28日，青島高新區(qū)2022年春季重點項目建設(shè)啟動儀式在華芯晶元第三代半導(dǎo)體化合物晶片襯底項目現(xiàn)場舉辦。
 
　　包括該項目在內(nèi)的10個重點項目正式啟動建設(shè)，總投資110.98億元。
 
　　作為代表性開工項目的華芯晶元第三代半導(dǎo)體化合物晶片襯底項目，將建設(shè)半導(dǎo)體襯底智能生產(chǎn)工廠，加工生產(chǎn)新一代晶片襯底產(chǎn)品，有效突破我國芯片制約性難題。
 
　　開春迎來這樣高科技含量的項目，吹響了青島高新區(qū)打造創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展示范區(qū)和高質(zhì)量發(fā)展先行區(qū)的沖鋒號，也為青島市建設(shè)新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)提振信“芯”。
 
　　開局就要奔跑，起步就是沖刺！
 
　　33萬片，彌補第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)短板！
 
　　總投資7億元的華芯晶元第三代半導(dǎo)體化合物晶片襯底項目占地50畝，建筑面積5.4萬平方米，項目采用碳化硅、氮化鎵、氧化鎵等第三代半導(dǎo)體化合物材料加工生產(chǎn)相關(guān)芯片襯底產(chǎn)品，廣泛用于光電子器件、大功率器件及通訊微波射頻器件。
 
　　“我們十年如一日深耕半導(dǎo)體化合物基礎(chǔ)材料的研發(fā)和生產(chǎn)，形成了藍(lán)寶石、磷化銦、碳化硅、氧化鎵等一系列第二代、第三代半導(dǎo)體化合物的技術(shù)儲備和產(chǎn)業(yè)化能力，致力于打造青島市半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈科技創(chuàng)新平臺。”青島華芯晶元半導(dǎo)體科技有限公司董事長肖迪說。
 
　　氧化鎵晶體是一種新型的超寬禁帶半導(dǎo)體，它具有禁帶寬度更大、吸收截止邊更短、生長成本更低等突出優(yōu)點，成為超高壓功率器件和深紫外光電子器件的優(yōu)選材料之一，由于其在軍事、能源、醫(yī)療、環(huán)境等領(lǐng)域的重要應(yīng)用價值，近年來，氧化鎵材料及器件的研究與應(yīng)用，呈現(xiàn)出顯著的加速發(fā)展勢頭，是當(dāng)前德國、日本、美國等國家的研究熱點和競爭重點。
 
　　此次開工的“第三代半導(dǎo)體化合物晶片襯底項目”將建設(shè)半導(dǎo)體襯底智能生產(chǎn)工廠，加工生產(chǎn)新一代晶片襯底產(chǎn)品，有效助力突破我國芯片制約性難題，達(dá)產(chǎn)后將實現(xiàn)年產(chǎn)第三代大尺寸半導(dǎo)體化合物晶片襯底33萬片，年產(chǎn)值5億元，稅收2500萬元，項目順利開工標(biāo)志著華芯第三代半導(dǎo)體材料批量生產(chǎn)進(jìn)入了實質(zhì)性的階段，為我國第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)化邁出了堅實的一步。

 

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33萬片！第三代半導(dǎo)體項目在青島高新區(qū)啟動！

2022-03-01 來源:高新院 achie.org 點擊:次

　　2月28日，青島高新區(qū)2022年春季重點項目建設(shè)啟動儀式在華芯晶元第三代半導(dǎo)體化合物晶片襯底項目現(xiàn)場舉辦。
 
　　包括該項目在內(nèi)的10個重點項目正式啟動建設(shè)，總投資110.98億元。
 
　　作為代表性開工項目的華芯晶元第三代半導(dǎo)體化合物晶片襯底項目，將建設(shè)半導(dǎo)體襯底智能生產(chǎn)工廠，加工生產(chǎn)新一代晶片襯底產(chǎn)品，有效突破我國芯片制約性難題。
 
　　開春迎來這樣高科技含量的項目，吹響了青島高新區(qū)打造創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展示范區(qū)和高質(zhì)量發(fā)展先行區(qū)的沖鋒號，也為青島市建設(shè)新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)提振信“芯”。
 
　　開局就要奔跑，起步就是沖刺！
 
　　33萬片，彌補第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)短板！
 
　　總投資7億元的華芯晶元第三代半導(dǎo)體化合物晶片襯底項目占地50畝，建筑面積5.4萬平方米，項目采用碳化硅、氮化鎵、氧化鎵等第三代半導(dǎo)體化合物材料加工生產(chǎn)相關(guān)芯片襯底產(chǎn)品，廣泛用于光電子器件、大功率器件及通訊微波射頻器件。
 
　　“我們十年如一日深耕半導(dǎo)體化合物基礎(chǔ)材料的研發(fā)和生產(chǎn)，形成了藍(lán)寶石、磷化銦、碳化硅、氧化鎵等一系列第二代、第三代半導(dǎo)體化合物的技術(shù)儲備和產(chǎn)業(yè)化能力，致力于打造青島市半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈科技創(chuàng)新平臺。”青島華芯晶元半導(dǎo)體科技有限公司董事長肖迪說。
 
　　氧化鎵晶體是一種新型的超寬禁帶半導(dǎo)體，它具有禁帶寬度更大、吸收截止邊更短、生長成本更低等突出優(yōu)點，成為超高壓功率器件和深紫外光電子器件的優(yōu)選材料之一，由于其在軍事、能源、醫(yī)療、環(huán)境等領(lǐng)域的重要應(yīng)用價值，近年來，氧化鎵材料及器件的研究與應(yīng)用，呈現(xiàn)出顯著的加速發(fā)展勢頭，是當(dāng)前德國、日本、美國等國家的研究熱點和競爭重點。
 
　　此次開工的“第三代半導(dǎo)體化合物晶片襯底項目”將建設(shè)半導(dǎo)體襯底智能生產(chǎn)工廠，加工生產(chǎn)新一代晶片襯底產(chǎn)品，有效助力突破我國芯片制約性難題，達(dá)產(chǎn)后將實現(xiàn)年產(chǎn)第三代大尺寸半導(dǎo)體化合物晶片襯底33萬片，年產(chǎn)值5億元，稅收2500萬元，項目順利開工標(biāo)志著華芯第三代半導(dǎo)體材料批量生產(chǎn)進(jìn)入了實質(zhì)性的階段，為我國第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)化邁出了堅實的一步。